Оперативная память GOODRAM SO-DIMM DDR4 4ГБ (GR2666S464L19S/4G)

Оперативная память GOODRAM SO-DIMM DDR4 4ГБ (GR2666S464L19S/4G)
Код товара: 22325
454,30 ₴
Заканчивается

Доставка

  • Самовывоз из магазина Setevuha
  • Доставка курьером Setevuha
  • Самовывоз из отделения Нова Пошта
  • Доставка курьером Нова Пошта

Оплата

  • Оплата наличными
  • Оплата картой при получении
  • Банковский перевод
  • Оплата на расчетный счет

Гарантия

  • Обмен и возврат товара в течении 14 дней
  • Официальная гарантия от производителя 36 месяцев

Характеристики GOODRAM (GR2666S464L19S/4G)

Информация от производителя

Бренд
GOODRAM
Линейка бренда
GR2666S464
Гарантия
36 месяцев
Страна-производитель
Польша
Страна регистрации бренда
Польша

Основные характеристики

Назначение
Для ноутбуков
Форм-фактор
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Стандарты памяти
PC21300
Объём памяти
4ГБ
Тактовая частота
2666 МГц
Количество планок
1

Дополнительная информация

Состояние
Новый
Напряжение питания
1,2 В
Количество контактов
260-рin
Латентность (тайминги)
CL19
Схема таймингов памяти
19-19-19
Охлаждение
Нет
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
non-ECC
Буферизация
Unbuffered
Пропускная способность
21300 Мб/с

Физические параметры

Цвет
Зеленый

Комплектация, внешний вид и характеристики товара могут изменяться производителем без уведомления. Рекомендуем проверять их на сайте производителя перед покупкой

Описание GOODRAM (GR2666S464L19S/4G)

Оперативная память SODIMM Goodram [GR2666S464L19S/4G] применяется для комплектации мобильных компьютеров. Используемый тип памяти – DDR4. Ноутбуки с памятью DDR4 наиболее широко распространены в настоящее время. Объем модуля памяти равен 4 ГБ.
Оперативная память SODIMM Goodram [GR2666S464L19S/4G] обладает совокупностью технических характеристик, позволяющих эффективно использовать устройство в составе высокопроизводительных ноутбуков. Тактовая частота устройства равна 2666 МГц. Пропускная способность памяти – 21300 МБ/с. Это значительный показатель, свидетельствующий о высоком уровне производительности памяти. Модуль соответствует показателю CAS-латентности 19.
Напряжение питания памяти SODIMM Goodram [GR2666S464L19S/4G] равно 1.2 В. Это типовой показатель для памяти DDR4. При производстве модуля была использована двусторонняя компоновка чипов памяти. Всего в наличии 8 чипов. С одной из сторон на чипы нанесена наклейка, содержащая информацию о параметрах памяти.

Отзывы и вопросы о GOODRAM (GR2666S464L19S/4G)

оценка покупателей
Напишите отзыв
Отлично
Укажите ваш email, чтобы получить уведомление, когда ваш отзыв будет рассмотрен.
Задайте вопрос
Укажите ваш email, чтобы получить уведомление, когда ваш отзыв будет рассмотрен.
§

Доставка

Самовывоз из магазина, доставка по адресу или в отделения "Нова Пошта"

Оплата

Оплатить покупку можно наличными, картой или безналичным расчетом

Гарантия

Сертифицированная техника с официальной гарантией от производителя